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型号 IPB60R299CP
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 650V 11A TO-263
IPB60R299CP PDF
代理商 IPB60R299CP
产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
标准包装 1,000
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 11A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 299 毫欧 @ 6.6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3.5V @ 440µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1100pF @ 100V
功率 - 最大 96W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-3
包装 带卷 (TR)
其它名称 IPB60R299CP-ND
SP000301161
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